• Привычными спутниками высокочастотных модулей памяти уже давно стали массивные радиаторы, которые хоть и улучшают охлаждение, но иногда создают неудобства при сборке системы. Модули памяти KINGMAX Nano Gaming RAM можно назвать исключением из этого правила, так как они сочетают высокие частоты...
    среда, 25.01.2012 21:50
  • О разработке первого прототипа высокоскоростной энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM) сообщила компания Elpida Memory. Прототип изготовлен по 50-нанометровой технологии. Он состоит из массива ячеек памяти объемом 64 Мбит. Это значение находится на уровне лучших...
    среда, 25.01.2012 11:20
  • Компания Venray Technology предложила новый подход к проектированию и производству микропроцессоров. Идея заключается в интеграции процессора непосредственно в микросхему динамической памяти с произвольным доступом. Как утверждается, это позволит получить высокую производительность за счет того,...
    вторник, 24.01.2012 10:32
  • Компания Samsung Electronics объявила о начале производства встраиваемых многочиповых микросхем (eMCP), в которых объединены 30-нм оперативная память LPDDR2 с пониженным энергопотреблением и 20-нм флэш-память типа NAND. Решения рассчитаны на применение в смартфонах начального и среднего уровня....
    четверг, 19.01.2012 14:10
  • Среди новинок, которые привезла на CES 2012 компания Kingston, источник высмотрел модули памяти DDR3 HyperX T1. Их радиаторы спроектированы таким образом, что они мало утолщают модули, зато делают их почти в два раза выше, чем, скажем, модули HyperX Genesis. Радиаторы изготовлены из алюминия и...
    четверг, 12.01.2012 09:07
  • Компания Kingston Technology объявила о выпуске модулей оперативной памяти HyperX Red Limited Edition. Новинки оснащены ярко-красными радиаторами, которые будут выделяться на фоне любой системной платы, уверен производитель. Модули памяти HyperX Red объёмом 4 ГБ будут доступны как по...
    среда, 11.01.2012 05:50
  • Выставку CES компания SanDisk выбрала для премьеры встраиваемой памяти для мобильных устройств iNAND Ultra, которая будет выпускаться по нормам 19 нм. Уменьшение норм техпроцесса позволяет увеличить объем памяти, устанавливаемой в мобильное устройство. Новая память SanDisk предназначена для...
    вторник, 10.01.2012 16:31
  • Компания Crucial объявила о немедленной доступности модулей памяти DDR3 объемом 8 ГБ в сериях Ballistix Sport, Tactical и Elite. В этих изделиях используются микросхемы памяти плотностью 4 Гбит производства Micron. Модули DDR3-1600 и DDR3-1866 характеризуются малыми задержками и позволяют...
    понедельник, 09.01.2012 18:47
  • Ассортимент компании Ramtron, специализирующейся на разработке и производстве энергонезависимой ферроэлектрической памяти с произвольным доступом (F-RAM), пополнился микросхемой FM25V20. Новинка имеет объем 2 Мбит и оснащена последовательным интерфейсом. По данным компании, FM25V20 имеет...
    понедельник, 09.01.2012 16:38
  • С технической стороны единственное отличие между двумя модификациями iPhone 4S (16 и 32 ГБ флэш-памяти) заключается в наличии дополнительных 16 ГБ флэш-памяти типа NAND. Для покупателей это отличие выливается в 100 долларов.Между тем, по оценке аналитической компании Bernstein Research, компании...
    суббота, 07.01.2012 06:00
← (Ctrl) Назад 15  16  17  18  19  20 21  22  23  24  25  Вперёд   (Ctrl) →
Copyright © 1998-2024 <МЕТА> Все права защищены