• Samsung Galaxy S8 оснастят 8 Гбайт ОЗУ на 10-нм техпроцессе
    понедельник, 26.12.2016 08:38


    В следующем году Samsung выпустит два варианта флагманского смартфона Samsung Galaxy S8 с 5,7" и 6" или 6,2" дисплеями. И недавно известный информатор Ice Universe рассказал о 2-кратном увеличении объема оперативной памяти новинки.

    Samsung Galaxy S8 оснастят 8 Гбайт ОЗУ



    По его словам, следующий флагман Samsung сможет похвастаться 8 Гбайт оперативной памяти, выполненной на основе 10-нм техпроцесса, и получит более быструю флеш-память стандарта UFS 2.1. При этом ранее информаторы все чаще говорили лишь о 6 Гбайт ОЗУ Galaxy S8 при использовании в нем до 256 Гбайт встроенной памяти, не уточняя спецификации последней.

    Ходят слухи, что за производительность Samsung Galaxy S8 в зависимости от версии отвечает уже анонсированный Qualcomm чипсет Snapdragon 835 или фирменная SoC Exynos 8895. А в дисплее устройства, как говорят, используется технология Y-Octa, благодаря которой сенсорные датчики могут встраиваться непосредственно в экран устройства без необходимости использования отдельной сенсорной панели между самим экраном и стеклом.

    Презентация Samsung Galaxy S8 может пройти на специальном мероприятии в Нью-Йорке в апреле 2017 года. Смартфон получит предустановленную Android 7.0 Nougat с интерфейсом Samsung Experience (TouchWiz) и новым голосовым помощником на основе искусственного интеллекта, разработанным недавно купленной корейцами компанией Viv Labs.

    Источник: THG.RU
Версия для печати
Copyright © 1998-2026 <МЕТА> Все права защищены