• Компания Exceleram анонсировала выпуск модулей памяти серии Rippler. Модули объединены в двухканальные и трехканальные наборы. Список новинок насчитывает четыре позиции: ER3000A — 4 ГБ (2 x 2 ГБ), 1600 МГц, 7-9-9-24, 1,65 В; ERB300A — 4 ГБ (2 x 2 ГБ), 1600 МГц, 6-8-6-24, 1,65 В; ER3001A — 6 ГБ...
    пятница, 26.11.2010 10:57
  • Ассортимент модулей памяти OCZ пополнился двумя новыми линейками, названными Xtreme Thermal Exchange (XTE) и Blade 2. Новинки объединяет стандарт DDR3, высокие номинальные тактовые частоты и наличие алюминиевых радиаторов, предотвращающих перегрев микросхем памяти.  В серии Xtreme Thermal...
    среда, 24.11.2010 16:02
  • Компания PNY Technologies пополнила ассортимент модулей памяти DDR3 четырьмя комплектами — двумя объемом 4 ГБ и двумя объемом 8 ГБ — для лэптопов и настольных ПК.   Для ноутбуков доступны комплекты SO-DIMM DDR3-1066 МГц, набранные двумя модулями по два гигабайта, либо двумя модулями по четыре...
    понедельник, 22.11.2010 12:04
  • Компания Elpida начала поставки тестовых экземпляров 32-гигабайтных модулей памяти DDR3. Новые наборы памяти типа LRDIMM пострены по передовой технологии: они состоят из 72-х 4-гигабитных DDR3 SDRAM на основе 40-нм процесса в наборе удвоенной плотности DDP (Double Density Package). LRDIMM – это...
    пятница, 12.11.2010 10:54
  • Team Group обновила линейку наборов памяти Xtreem новыми моделями - Xtreem LV DDR3 1866 и Xtreem LV DDR3 2000. Это двухканальные 8-гигабайтные модули, которые работают на сверхвысоких скоростях 1866 и 2000 МГц соответственно. Чипы произведены по новому техпроцессу. Модули отличаются ультранизким...
    среда, 27.10.2010 16:20
  • Компания Mushkin анонсировала новые наборы компьютерной памяти в серии Radioactive («радиоактивные»). Планки памяти оформлены в соответствующем дизайне. В серию вошли планки памяти DDR3-1600 CL6 для платформ Intel LGA1366 и LGA1156, а также тройной набор 2000 МГц 6 ГБ CL8. В новую серию...
    четверг, 21.10.2010 11:24
  • Transcend Information сообщила о запуске трёх новых модулей памяти 4GB DDR3 DRAM, которые используют 2-гигабитные (2 Гб/с) микросхемы DDR3 высокой плотности: DDR3 1333 МГц DIMM обычного размера, DDR3 1333 МГц SO-DIMM для мобильных систем и DDR3 1066 МГц SO-DIMM. Стандартные 240-контактные модули...
    среда, 20.10.2010 20:22
  • Super Talent выпустила очередное рекордное устройство – набор памяти объемом 24 ГБ, трехканальный DDR3 2000 МГц. Он вошел в производительную серию Performance. Набор состоит из 6 модулей по 4 ГБ в 6 слотах (DDR3-2000-CL9) 1,65 В. Индекс новинки – WB200T24G9. Такой компонент станет незаменимым для...
    среда, 20.10.2010 09:52
  • Компания Samsung Electronics, мировой лидер в сфере передовых полупроводниковых технологий, первой в отрасли начала массовое производство микросхем флеш-памяти NAND с 3-битной архитектурой ячеек емкостью 64 гигабит (Гб). Новые микросхемы выпускаются по технологическим нормам 20-нанометрового...
    воскресенье, 17.10.2010 09:39
  • Patriot Memory объявил о выходе новых модулей компьютерной памяти для Apple iMac. Новая линия Patriot Signature Line для Apple представлена в модулях 2 и 4 ГБ и наборах 4 и 8 ГБ с 1333MHz CL9. Новинки прошли испытания на последних продуктах Apple – 21,5-дюймовых и 27-дюймовых системах iMac с...
    четверг, 14.10.2010 12:11
← (Ctrl) Назад 23  24  25  26  27  28 29  30  31  32  33  Вперёд   (Ctrl) →
Copyright © 1998-2024 <МЕТА> Все права защищены