Hynix Semiconductor анонсировала 1-гигабитный модуль памяти DDR3 второго поколения, сделанный по нормам 54-нм техпроцесса. Чип работает при напряжении 1,5 вольта и поставляется в комплектах из 4 (H5TQ1G43TFR) и 8 модулей (H5TQ1G83TFR).

Компания уверяет, что данный продукт является наиболее производительным среди 1 Гб модулей памяти. При этом стоит отметить, что благодаря новому дизайну энергопотребление чипа стало на 30% ниже. Энергоэффективные 1 Гб модули DDR3, созданные Hynix, будут востребованы для серверов, дата-центров, суперкомпьютеров, равно как и для мобильных устройств, для которых вопрос, касающийся длительности работы в автономном режиме, остается принципиальным.

Hynix утверждает, что новый дизайн микросхемы будет применен и при разработке будущих 2-гигабитных модулей DDR3 памяти. Эти модули будут созданы по нормам 40-нм техпроцесса.