Компания Micron разработала новую линейку модулей памяти DDR3, выполненную в формате SODIMM. Согласно официальному пресс-релизу этот продукт обладает высокой производительностью при значительно уменьшенном по сравнению с конкурирующими изделиями энергопотреблении. Новые модули памяти емкостью 2 ГБ уже доступны, а 4-гигабайтные образцы появятся до конца этого года.

Данная разработка построена на базе 1-гигабитных чипов памяти, работающих при напряжении 1,35 В, а стандартным модулям памяти необходимо напряжение 1,5 В. Micron отмечает, что понижение напряжения было произведено не в ущерб производительности - пропускная способность энергоэффективных модулей памяти составляет 1333 Мбит/с. Таким образом специалистам Micron удалось без потерь добиться экономии энергии до 20% в сравнении с конкурирующими продуктами.

В то время как Micron развивает уже существующие технологии, Rambus готовит плацдарм для будущего стандарта DDR4.