Южнокорейская компания Samsung, по сообщению сетевых источников, в следующем месяце намерена организовать массовое производство модулей памяти с изменяемым фазовым состоянием (PRAM).

Принцип работы памяти PRAM (Phase-change Random Access Memory) основан на свойстве халькогенидных полупроводников находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой - кристаллический проводник. Изменение фазового состояния осуществляется путем приложения электрического потенциала, в результате чего происходит переключение между логическими нулем и единицей, пишет Астера.

Память PRAM обладает рядом достоинств: данные на носитель могут записываться без предварительного стирания, что обеспечивает значительное увеличение быстродействия по сравнению с обычными флеш-микрочипами. Кроме того, память PRAM обладает большим сроком службы и является энергонезависимой.

По имеющимся данным, на начальном этапе Samsung предложит микросхемы PRAM емкостью в 512 Мб. Такие чипы найдут применение в портативных плеерах, мобильных телефонах, компьютерном оборудовании и пр.

Кроме Samsung к рынку памяти с изменяемым фазовым состоянием присматриваются и другие компании (к примеру, Intel).