По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле.

В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм.

Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8 мм. Такая микросхема будет примерно на 20% тоньше, чем микросхема объемом 2 ГБ, изготовленная из четырех кристаллов LPDDR2 плотностью 4 Гбит, изготовленных по нормам 3x нм, утверждает производитель. Максимальная скорость новой памяти равна 1066 Мбит/с. При этом ее энергопотребление равно энергопотреблению памяти объемом 2 ГБ, изготовленной по нормам 3x нм.

Источник: iXBT.com