Во второй половине этого года SK Hynix планирует представить новые версии чипов DDR4 DRAM, работающие на более высоких частотах по сравнению с доступными сегодня моделями.

В документах, попавших в руки KitGuru, значится, что компания собирается начать во втором квартале 2015 года поставки образцов микросхем, работающих на частоте 2666 МГц. Заявленные тайминги у этих чипов - CL17-17-17, плотность составит 4 Гбит. Организация - 512Mx8 или 256Mx16, а рабочее напряжение равняется 1,2 В. Новые чипы памяти DDR4 DRAM будут заключены в 78-ball FBGA и 96-ball FBGA корпуса.

Пока что неизвестно, когда SK Hynix начнет массовое производство микросхем DDR4 DRAM с эффективной частотой 2666 МГц. Вероятно, это произойдет в третьем квартале года. Сама SK Hynix эту информацию не стала комментировать.