Память, в которой для представления информации используется изменение фазового состояния вещества, точнее говоря, переход между аморфной и кристаллической структурами, характеризующимися разным сопротивлением, является одним из кандидатов на замену флэш-памяти. В то же время, в самом принципе работы этой памяти кроется противоречие: легкий переход между состояниями позволяет повысить скорость записи, но отрицательно сказывается на надежности хранения.

Исследователями из Кембриджского университета удалось повысить скорость записи, не жертвуя надежностью. Идея заключается в том, чтобы «подготовить» вещество к кристаллизации, в результате чего она происходит быстрее. Подготовка заключается в создании слабого электрического поля. Ученые использовали компаунд из германия, сурьмы и теллура. Им удалось получить время кристаллизации 500 пикосекунд, что в десять раз превосходит прежний результат.

Хотя о практическом применении открытия пока говорить рано, по словам исследователей, оно может помочь в создании энергонезависимой памяти, работающей на частоте 1 ГГц и более.

Источник: iXBT.com