Компании Samsung и Qualcomm объявили о сотрудничестве в области разработки нового флагманского чипа Snapdragon 835 в основе которого - Samsung 10-нм FinFET.

Согласно оценкам экспертов, использование 10-нм FinFET в процессоре Snapdragon 835 позволит уменьшить размеры чипа, что в свою очередь позволит использовать высвободившееся место под установку, например, более емких аккумуляторов.

Первые новинки с Snapdragon 835 появятся в первом квартале 2017 года.