Компания Samsung Electronics приступила к производству 48-слойных микросхем флэш-памяти 3D V-NAND емкостью 256 Гбит. Новые чипы предназначены для использования в твердотельных накопителях, включая многотерабайтные SSD.

В третьем поколении многоуровневой памяти 3D V-NAND применяется трехмерная структура ячеек на базе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF). За счет увеличения числа слоев производителю удалось разместить на одном кристалле свыше 85,3 млрд ячеек, в каждой из которых может храниться 3 бита информации. Это позволило удвоить емкость микросхем. Новое решение также обеспечивает 40% прирост производительности и потребляет на 30% меньше энергии, чем 32-слойные чипы предыдущего поколения.

В Samsung уверены, что представленные чипы помогут увеличить продажи SSD-накопителей корпоративного класса и устройств для центров обработки данных. Недавно производитель также выпустил потребительские модели серий 850 PRO и 850 EVO объемом целых 2 Тбайт.